型号 | SI1032X-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 |
SI1032X-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI1032X-T1-E3 |
产品目录绘图 | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5 欧姆 @ 200mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
供应商设备封装 | SC-89-3 |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI1032X-T1-E3DKR |